微電子技術概念股

我國科學家首次研制出新型微電子半浮柵晶體管，這標志著我國在全球尖端集成電路技術創新鏈中獲得了重大突破，再加上年內國際巨頭的爭相投入，半導體投資熱情不減，預計新一波的“元器件熱”將順勢而出，相關個股華微電子（600360）、復旦復華（600624）、長電科技（600584）及風華高科（000636）有望獲得資金的青睞。（股市有風險，投資需謹慎。文中提及個股僅供參考，不做買賣建議。）微電子重大技術突破或催生“元器件熱”

近日據相關媒體報道，復旦大學微電子學院張衛課題組成功研制出第一個介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管（SFGT），采用該材料的芯片將具有高密度和低功耗的優勢，該研究成果被刊發在美國《科學》雜志上。

分析人士認為，作為我國微電子領域的重大技術突破，此項科研成果有望進一步提升我國在芯片領域的話語權，但從產業鏈觀察，和之前多項芯片技術面臨的難題一樣，芯片企業多由外國把持，如何把技術轉化為產能是未來需要亟待解決的問題。

魚和熊掌兼得

傳統意義上的電腦和智能手機的芯片均是由晶體管組成，目前晶體管的材料主要有MOS晶體管和浮柵晶體管兩種，兩種材料可謂各有千秋。

MOS晶體管適合完成高速運算，但運算時溫度極高，且一斷電所有的運算數據將全部丟失；浮柵晶體管的結構域MOS相比多了一層多晶硅材料（浮柵層），浮柵晶體管運算速度比MOS要低不少，但其優勢在于斷電后數據仍可以保存。業內人士表示，目前需要大量運算但對運算要求較高的如CPU和GPU領域多使用 MOS晶體管，但結果是必要配備電扇以降溫，否則元器件極易損壞，而內存、閃存和固態硬盤等對數據存儲和溫度存在硬性要求的產品多使用浮柵晶體管。

此次復旦大學的科研成果，有望終結芯片領域魚和熊掌不可兼得的現狀，使用半浮柵晶體管芯片的速度將有提升，根據科研負責人的說法，使用半浮柵晶體管的芯片運算速度將在浮柵晶體管的芯片的1000倍左右；而使用半浮柵晶體管結構的CPU其緩存面積將縮小9成；用在內存中運算速度將提高到1至2倍。從結構上看，半浮柵晶體管結構與浮柵晶體管相比多了一層隧穿晶體管來控制電流，這將節省到諸如電容等零部件給拘泥于方寸之間芯片設計帶來更多的寶貴空間。

8月9日，美國《科學》雜志率先刊發了該研究成果。這是我國科學家首次在該雜志上發表微電子器件領域的論文，分析人士認為，芯片上游領域作為一個極為尖端的高科技領域，取得如此的突破性實屬難能可貴，這將提升中國在全球芯片行業的話語權。

產業化路仍較長

就市場來看，據估算，目前CPU、內存、數碼相機感光器件的芯片的市場規模就在千億美元左右。在復旦大學公布此項重大科研成果后，業內人士對產業化問題頗為關心，但從目前的情況來看，由于上游多屬于外國企業，半浮柵晶體管芯片恐仍有較長的道路要走。據了解，復旦大學目前已對此技術申請了核心技術專利，但后期的應用設計工作仍需要企業來完成。

據中證報報道，目前全球芯片市場主要被外國壟斷，如Intel、高通、ARM等外國企業占據了芯片市場的大部分芯片市場份額。分析人士認為，如何將此項由中國自主掌握的尖端技術做好相應配套，由技術轉化為實際產能仍需要產業鏈下游積極配合，但從目前來看，我國在此中游領域與國外相比較為薄弱，短期內產業化將面臨較大的不確定性。（證券時報網）

微電子罕見成就或催生“元器件熱”

今年以來，“電子熱”此起彼伏，各類技術創新更成為個股股價爆發的催化劑。

近日據相關媒體報道，復旦大學微電子學院張衛課題組成功研制出第一個介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管（SFGT），該研究成果被刊發在美國《科學》雜志上。分析人士表示，這是我國科學家首次在該雜志上發表微電子器件領域的論文，標志著我國在全球尖端集成電路技術創新鏈中獲得了重大突破。預計此次微電子的罕見成就將催生新一波的“元器件熱”，相關個股華微電子（600360）、復旦復華（600624）、長電科技（600584）及風華高科（000636）有望獲得資金青睞。

微電子罕見成就意義重大

據相關媒體報道，復旦大學微電子學院張衛課題組成功研制出第一個介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管（SFGT）。8月9日，美國《科學》雜志刊發了該研究成果，這是我國科學家首次在該雜志上發表微電子器件領域的論文，標志著我國在全球尖端集成電路技術創新鏈中獲得重大突破。

據介紹，金屬—氧化物—半導體場效應晶體管（MOSFET）是目前集成電路中最基本的器件，而常用的U盤等閃存器件多采用另一種被稱為浮柵晶體管的器件。此次研究人員把一個隧穿場效應晶體管（TFET）和浮柵器件結合起來，構成了一種全新的“半浮柵”結構器件，稱為半浮柵晶體管。它具有高密度和低功耗的明顯優勢，可取代一部分靜態隨機存儲器（SRAM），并應用于動態隨機存儲器（DRAM）領域以及主動式圖像傳感器芯片（APS）領域。

據復旦大學微電子學院張衛介紹道，作為一種基礎電子器件，半浮柵晶體管在存儲和圖像傳感等領域的潛在應用市場規模超過300億美元。它的成功研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術，從而在國際芯片設計與制造領域內逐漸獲得更多的話語權。

而不同于實驗室研究的基于碳納米管、石墨烯等新材料的晶體管，半浮柵晶體管是一種基于標準硅CMOS工藝的微電子器件。張衛表示，半浮柵晶體管兼容現有主流集成電路制造工藝，具有很好的產業化基礎；不過，擁有核心專利并不等于擁有未來的廣闊市場。盡管半浮柵晶體管應用市場廣闊，但前提是對核心專利進行優化布局。

國際巨頭加大支出 半導體消費規模創新高

據海外媒體報道，盡管全球芯片銷量去年出現了下滑，但今年全球半導體市場有望因國際大電子品牌商的加大支出而實現復蘇；其中，蘋果和三星將會角逐成為今年半導體市場上最大的消費者。

今年以來，設備廠商們對半導體領域的投資熱情十分高漲。據市場調查機構IHS的估計，今年全球主要設備生產商的半導體市場開支有望增長至2652億美元，較去年的2544億美元，同比增長4.2%。更為重要的是，2013年的半導體市場消費規模將達到過去六年來的最高水平。

業已成為全球PC貨量最大的中國市場，目前在與全球PC相關的芯片支出方面仍占有舉足輕重的比重。據市場調查機構IDC估計，全球芯片產業在今年仍有望實現較低的個位數增長，增長主要是來自于移動領域，其中蘋果和三星為該領域的統治者。據IHS的數據顯示，僅無線通訊板塊今年就占據了半導體市場26%的份額，即大約620億美元的份額。該板塊在2013年也是增長最快的一個市場，全年預期增幅達12.8%。

據悉，蘋果和三星是今年半導體市場上支出規模最高的兩家公司，排在它們之后的一些廠商包括有惠普、聯想、索尼、戴爾、思科、松下、東芝以及華碩電腦。當中部分廠商既為芯片生產商身份，也同時為芯片供應商，還有部分廠商在芯片支出方面保持著增長，也有部分廠商出現了下滑。

我國科學家首次研制出新型微電子半浮柵晶體管，這標志著我國在全球尖端集成電路技術創新鏈中獲得了重大突破，再加上年內國際巨頭的爭相投入，半導體投資熱情不減，預計新一波的“元器件熱”將順勢而出，相關個股華微電子（600360）、復旦復華（600624）、長電科技（600584）及風華高科（000636）有望獲得資金的青睞。（證券時報網）

華微電子（600360）：公司自2007年起開始進行“新型電力電子器件MOSFET產品技術研發項目”，取得了一項發明專利（“一種復合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝”，）和兩項實用新型專利（“采用PSG摻雜技術的VDMOS、IGBT功率器件”，“一種復合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件”），從而形成了一套完整、成熟的MOS制造技術和工藝體系，目前已開發出200V、400V、500V、600V系列產品，并已在公司現有48萬片六英寸生產線上實現了批量化生產。

華微電子：業績預告符合預期，募投項目成亮點

研究機構：山西證券撰寫日期：2013年07月17日

事件追蹤：

7月17日，公司發布2013年半年度業績預告，公司預計2013年上半年歸屬于上市公司股東的凈利潤較上年同期增長約40%-60%，盈利2599.50萬元至2970.86萬元。

分析：

半導體行業逐步回暖，下游需求回升。今年上半年，半導體行業逐步回暖。根據SIA公布的最新數據顯示，5月份全球芯片銷售額達到了247億美元，比此前一個月的236.2億美元環比增長了4.6%，比2012年5月份的244億美元同比增長了1.3%，創下這一行業自2010年3月份以來最大的環比增幅。其中，亞太地區仍然是半導體行業增長的最大引擎。按地區劃分，5 月份亞太地區的芯片銷售額比4 月份環比增長5.9%，較去年同期相比增長5.8%。充分顯示亞太地區強勁的市場需求。

公司加強結構調整，募投項目成亮點。上半年，公司通過結構調整不斷加大中高端產品比例，毛利率水平從去年年底的22.66%回升至1季度的25.43%。公司產能利用率穩步提升，尤其是公司六英寸生產線VDMOS等中高端產品產銷量取得了一定的增長，帶動公司上半年整體銷售收入較上年同期大幅增加。公司在調結構的同時，通過研發和引進新項目，不斷進入新領域和開發新客戶，從而進一步拓寬和延伸公司產品生產線。公司目前已成為國內最大的半導體分立器件制造基地之一。

盈利預測與投資建議：

功率半導體是應用最廣闊的電子元器件之一，亞太地區是全球半導體行業增長引擎，行業回暖趨勢明顯。公司是國內半導體行業龍頭，通過調整產品結構，目前公司產能利用率逐步上升，中高端產品比例不斷加大，毛利率顯著回升。考慮到公司技術及研發優勢，加上行業繼續回暖的預期以及公司經營管理的日益成熟，預計公司業績仍將快速增長。首次給予公司“增持”投資評級。

長電科技（600584）：經國家發改委批準，以國內集成電路封測領軍企業江蘇長電科技股份公司為依托，聯合中科院微電子研究所、清華大學微電子所、深圳微電子所、深南電路有限公司等五家單位共同組建的我國第一家“高密度集成電路封裝技術國家工程實（財苑）驗室”于2009年6月21日在江陰的長電科技成立，這標志著國家重點扶持的集成電路封裝技術產學研相結合的工程實驗平臺正式啟動。公司目前的主要產品為Trench-Mosfet、Sj-Mosfet、IGBT等電力電子器件和變頻器件的芯片設計，在國內具備領先優勢，事實上此前公司對片式功率器件封裝生產線技改擴能的項目也是主要針對MOSFET。

長電科技：Bumping加FC是未來競爭力所在

研究機構：興業證券撰寫日期：2013年08月05日

投資要點

近期調研了長電科技，與公司高管進行了深入的溝通。公司基本情況及觀點如下：

2012年業績低谷，今年反轉可見：2012年公司實現總營收44.36億元，增長17.9%，實現歸屬上市公司股東凈利潤1041萬元，同比下滑84.5%，EPS=0.01元。搬廠因素及新產品大量研發投入致使營業利潤虧損。搬遷影響預計到今年Q4消除，新產品開發日漸成效，并進入導入期。同時，半導體行業整體進入上升周期，景氣復蘇明確，公司今年業績反轉可見。

長電長期增長三大邏輯：1）公司自身封裝技術升級，加之國家大力扶持國內IC設計廠商啟用國內封測，國內IC設計轉單國內供應商。2）隨著移動終端在低價市場的爆發，國內IC設計崛起。3）封測產業向國內轉移趨勢明顯。

基板事業部是今年增長主力貢獻：基板事業部包括BGA（基帶芯片、處理器）、LGA（射頻模塊）、MEMS/sensorIC、smartIC等高端封裝產品，是公司今年及未來增長主力。政策層面上國家大力扶持國內封測，鼓勵國內IC設計采用本土封測，公司自身技術也向高端制程升級，且較臺灣大廠有價格優勢，展訊、海思、聯芯、銳迪科、瑞芯微等國內IC大廠已經將訂單轉向長電，產業轉移的趨勢明確。本質上公司是受益于中低端移動終端爆發，憑借向高端封裝制程升級，伴隨國內IC設計廠商崛起而成長。其基板事業部去年初營收僅800萬/月，當前成長為7000萬/月，增長迅猛。預計此塊業務今年營收貢獻7-8億，明年12億左右。

FCBGA是未來方向：與傳統wirebondingBGA（引線鍵合封裝）相比，FCBGA（倒裝封裝）的優勢在于：1）解決了電磁兼容（EMC）與電磁干擾（EMI）問題。而傳統wirebond有阻抗效應。2）可提高I/O的密度。相較于傳統封裝形式面積縮小30%至60%。3）散熱更好，大幅提高芯片在高速運行時的穩定性。FCBGA尤其適合高腳位芯片的封裝，是移動終端輕薄化趨勢下的技術方向。

Bumping FC一條龍是公司優勢：bumping作為中段產業，介于foundry和封測環節之間。目前從事bumping生產的有兩類企業：一類是foundry廠，如中芯國際，一類是封測廠，如Amkor。長電科技是國內唯一具備bumping和FC生產能力的廠商，有一站式優勢。當前bumping到了爆發期，公司的bumping產能供不應求，擴產在即。后道FC產能也是明年擴產重點。未來公司將憑借bumping FC的一條龍服務，大力發展FCBGA，盈利水平將較現有的wirebondingBGA進一步提升。

攝像頭模組已經量產，前景可觀：2011年與東芝合資成立新晟電子（長電70%，東芝30%），結合了長電在鏡頭封裝，與東芝在圖像傳感器、光學測試方面的優勢。攝像頭模組市場前景廣闊，僅手機用攝像頭2013年預計達到14億顆，至2015年達到16億顆，另外，車裝攝像頭也是一個巨大的下游市場。公司當前產能80-100萬/月，不斷擴產中。預計今年營收1-2億，明年5億左右。

盈利預測及投資評級：

受益于中低端移動終端爆發，憑借向高端封裝制程升級，伴隨國內IC設計廠商崛起而成長，公司長期成長邏輯確立。BGA是今年主要增長點，FCBGA是未來方向，bumping FC一條龍是公司優勢。今年將體現出較大的業績彈性，由于搬廠、高端產能逐步釋放以及季節性因素，預計主要集中在下半年爆發。維持公司2013-2015年EPS分別為0.15、0.28、0.38元的盈利預測，重申“增持”評級。

復旦復華（600624）：公司是復旦大學控股的上市公司，依托復旦大學雄厚的科研、技術、人才優勢，成功確立了以軟件開發、生物醫藥、園區房產為核心的科技產業體系，目前已擁有中國重要的對日軟件出口平臺，具有科技創新能力的藥品研發、生產、營銷基地，以及廣納國內外高新技術企業的國家級高新技術園區。此次復旦大學教授在微電子上的突出成就雖然跟公司沒有直接關系，但今年復旦大學持續在人腦水鋰電池等行業上獲得突出研究能力，因而正面效應依然存在。

風華高科（000636）：公司是目前國內片式元器件規模最大、元件產品系列配套最齊全的具備國際競爭力的電子元件企業，是MLCC及片式電阻器全球十大企業之一。公司研制、生產和銷售系列新型片式元器件，2011年更是對半導體高壓功率MOSFET生產技術線進行了改造。